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Toshiba America Electronic ComponentsSSM3K35AMFV,L3F
auf Lager
MOSFETs LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V
Lager und Preis
| Händler | RoHS | Datenblatt | Lieferant # | Paket (Menge) | Lagerbestand | Preiskalkulation | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Ja |  | V72:2272_18510282 | Cut Strip(1) | 6,696auf Lager 14 Stunden |
| KaufenUSD | |
Ja | | SSM3K35AMFV,L3F | Tape and Reel(8,000) | 16,000auf Lager 7 Stunden |
| KaufenUSD | |
| SSM3K35AMFVL3FCT-ND | CT(1) | 113,466auf Lager 18 Stunden |
| KaufenUSD | ||
| SSM3K35AMFVL3FDKR-ND | DKR(1) | 113,466auf Lager 18 Stunden |
| KaufenUSD | ||
| SSM3K35AMFVL3FTR-ND | TR(8,000) | 112,000auf Lager 18 Stunden |
| KaufenUSD | ||
Ja | | 757-SSM3K35AMFVL3F | Reel(8,000) Cut Tape(1) MouseReel(1) | 120,898auf Lager 14 Stunden |
| KaufenUSD | |
Ja | | SSM3K35AMFV,L3F | Fertigungsdurchlaufzeit: 14 Wochen 15 Stunden |
| AnzeigenUSD | ||
Ja | | SSM3K35AMFVL3F | Fertigungsdurchlaufzeit: 14 Wochen 15 Stunden |
| AnzeigenUSD |
Produkt Beschreibung
- Anzahl der Kanäle
- 1 Channel
- Id - Drain-Gleichstrom
- 250 mA
- Kanalmodus
- Enhancement
- Maximale Betriebstemperatur
- + 150 C
- Minimale Betriebstemperatur
- - 55 C
- Montageart
- SMD/SMT
- Pd - Verlustleistung
- 500 mW
- Qg - Gate-Ladung
- 340 pC
- Rds On - Drain-Source-Widerstand
- 1.1 Ohms
- Serie
- SSM3K35AM
- Technologie
- Si
- Transistorpolung
- N-Channel
- Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
- 20 V
- Verpackung/Gehäuse
- VESM-3
- Vgs - Gate-Source-Spannung
- - 10 V, 10 V
- Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
- 1 V
Beschreibung
- MOSFETs LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V
- Power MOSFET, N Channel, 20 V, 250 mA, 1.1 Ohm, SOT-723, 3 Pins, Surface Mount
- Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.25A 3-Pin VESM T/R
- MOSFETs SOT723 N-CH 20V .25A
- MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
Toshiba America Electronic Components Auch bekannt als
Toshiba
TOSHIBA ELECTRONICS